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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Comparar
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
73
Por volta de 67% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
9.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
14.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
73
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2222
1843
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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