RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Compara
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Puntuación global
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
73
En 67% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
73
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2222
1843
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
INTENSO M418039 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link