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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Comparar
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
6.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
36
Por volta de -57% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
6.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2339
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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