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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
42
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
3035
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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