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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparar
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
43
Por volta de 16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
43
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
9.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2501
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB Comparações de RAM
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Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
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