RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
42
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
3559
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link