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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2163
2545
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-107.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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