RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Comparar
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
32
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1896
1897
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Inmos + 256MB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905469-136.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link