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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1896
2852
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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