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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Comparar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
73
Por volta de -181% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
4.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
26
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
4.7
15.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1021
3648
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
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