RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
73
85
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.3
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.0
4.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
85
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
4.7
6.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1021
1118
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link