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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
85
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.3
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.0
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
85
读取速度,GB/s
6.1
11.3
写入速度,GB/s
4.7
6.0
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
1118
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
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