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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Comparar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
73
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
4.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
50
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
4.7
10.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1021
2512
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparações de RAM
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Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
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