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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
50
73
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
50
读取速度,GB/s
6.1
15.3
写入速度,GB/s
4.7
10.9
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
2512
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
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