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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
比较
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
总分
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
总分
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.6
17.5
写入速度,GB/s
8.3
12.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3037
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
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