RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Comparar
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
49
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
8.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
49
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
10.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.1
8.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2792
2504
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link