RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Comparar
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
11.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.1
13.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2792
3076
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link