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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
83
Por volta de 64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
83
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.1
8.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2792
1774
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
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