RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparar
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
42
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
6.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
24
Velocidade de leitura, GB/s
6.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1632
2852
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link