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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Comparar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
13.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
27
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
2242
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparações de RAM
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Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
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