Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Средняя оценка

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 38

Около 29% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.6 7.8

Среднее значение в тестах

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.4 13.2

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

27 38
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 13.4
Скорость записи, Гб/сек

8.6 7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 10600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2196 2242

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingston 9905700-026.A00G 8GB

Kingston 9905700-026.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB

Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

модули RAM

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

AMD R748G2133U2S-UO 8GB

AMD R748G2133U2S-UO 8GB

модули RAM

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Kingston 9905598-026.A00G 16GB

Kingston 9905598-026.A00G 16GB

модули RAM