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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
15.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
3594
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
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