RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Comparar
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
69
71
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
6.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
3.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
71
Velocidade de leitura, GB/s
6.4
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
3.7
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1129
1902
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link