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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Pontuação geral
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2238
2382
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
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