RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2238
2382
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link