RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Comparar
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
39
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
13
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2320
2808
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link