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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
36
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2353
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
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