RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2353
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link