RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingston KYXC0V-MID 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
104
Около -189% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2903
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link