RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2353
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link