RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Comparar
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
9.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2320
2319
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link