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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Comparar
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
42
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2063
2497
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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