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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Comparar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
36
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.2
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
3313
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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