RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
3313
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link