RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Comparar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,036.1
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
75
Por volta de -200% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,986.4
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,036.1
11.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
714
2346
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link