RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Comparar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,036.1
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
75
Por volta de -159% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,986.4
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,036.1
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
714
2865
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link