RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
75
Wokół strony -159% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
2865
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link