RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Comparar
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
72
Por volta de -177% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
4.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
2.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
72
26
Velocidade de leitura, GB/s
4.9
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
2.9
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
776
2955
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5316-033.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link