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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2324
3857
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB Comparações de RAM
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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