RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Comparar
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
42
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2095
3106
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link