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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Comparar
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
41
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
3110
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB Comparações de RAM
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
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