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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Comparar
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
25
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
20
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1995
3217
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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