RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
26
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
21.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
19.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
4240
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link