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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparar
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Pontuação geral
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
37
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1995
2808
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
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