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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
40
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2078
2908
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
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Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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