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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
40
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2125
2443
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Comparações de RAM
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Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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