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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
104
Por volta de -206% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3343
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
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Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
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