RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
104
Около -206% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
20.3
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3343
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link