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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
52
Por volta de 44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17500
12800
Por volta de 1.37 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
52
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17500
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2319
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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