RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17500
12800
Wokół strony 1.37 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17500
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2319
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link